ADI抱负二极管处理方案介绍

  抱负二极管是一种操控电路，它运用 N 沟道 MOSFET 栅极电压操控，使 N 沟道 MOSFET 能够像超低正向电压二极管相同作业，下图 (图1) 为 ADI LTC4359 的电路图：抱负二极管操控器操控 MOSFET 的栅极电压，然后操控漏极、源极导通，如下图 (图2) 所示。本文将为咱们介绍抱负二极管操控器的首要电路模块、长处，以及 ADI 低静态电流抱负二极管操控器 LTC4372/4373，它可进步轿车安全性并处理 ECU 散热和空间问题。1. 电荷泵 (Charge Pump)：用于为 N 沟道 MOSFET 发生栅极电压的升压电源。为了驱动 N 沟道 MOSFET 高压侧，N 沟道 MOSFET 的栅极电压有必要比输入电压高约 5V，因而升压电荷泵发生的电压有必要比输入端电压高 11.5V。2. 迟滞栅极驱动器 (Hysteric Gate Driver)：N 沟道 MOSFET 栅极驱动器。对 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来操控，使 IN 和 OUT 引脚之间的电位差 (N 沟道 MOSFET 的漏极和源极之间的电位差) 小于 10mV。3. 反向电流比较器 (Reverse Current Comparator)：如下图 (图3) 所示，当 IN 引脚电压比 OUT 引脚电压低 30mV 或更低时，内置 N 沟道 MOSFET 会将栅极电压下降至源极电压，以中止 N 沟道 MOSFET 的反向电流。抱负二极管具有简化散热机制，改进功率损耗的长处，下图 (图4)、(图5) 别离展现了 ADI LTC4372 电路图和功率二极管与抱负二极管比照。抱负二极管可将功率二极管正向电压降发生的 7.0W 损耗下降到 0.5W，简化了散热机制，然后使功率损耗改进到全体的 0.5%。ADI 供给广泛的产品，以满意各种需求。下图为 ADI 的产品阵型及相关功能比照：LTC4372/LTC4373 是一款正高压抱负二极管操控器，具有 5uA 的低静态电流 (作业电流) 和 0.5uA (关断电流)、2.5V~80V 作业电压和 8 引脚 MOP 和 DFN (3mm×3mm) 的小型封装。LTC4372/LTC4373 的首要特征如下：此外， LTC4372 内置 2uA 上拉电流源，可避开运用高电阻。假如开关电路需求上拉电路，LTC4372 是抱负之选。

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