电子拉力试验机

几种常见的电源防反接电路

时间: 2025-02-15 06:19:01 |   作者: 竞彩体育比赛现场

  输入端一般都需要做一个防反接电路,常见的电路有两种:一种串联; 另一种通过PMOS管或NMOS管。

  当正确插入电源,负载电流沿二极管正向流动,如果接反,二极管将被反向偏置并且阻止反向电流,从而保护负载免受负电压的影响;

  如图所示,当12V输入快速反转至-20V时,输出电压保持不变,不会立即崩溃或跟随负输入;放置在输出端的大容量电容可防止输出立即下降,并可在输入电源恢复之前为负载供电一小段时间

  反向漏电流:高压肖特基二极管的反向漏电流随结温升高而飞速增加,导致反向导通期间的功耗更高; 例如,标称电压为60V的肖特基二极管STPS20M60S在150°时的反向漏电流为100mA,因此,-60V时的功耗为6W;

  在使用大容量电容的系统上,启动期间的浪涌电流会很大,要求不允许超出最大二极管电流;

  为了降低二极管的正向压降,可以将肖特基二极管替换为PMOS管;在电源正常工作期间,PMOS管的体二极管将被正向偏置,并导通很短的时间,直到栅极电压被拉至源极以下时会将MOS导通;当电源极性反转时,栅极电压变为正电压,并将MOS管关断,从而保护后级电路免受负电压影响;

  缺点:无法阻断反向电流流回输入端,保持电容将被放电(因为MOS管在电源电压接近Vth时才会关断,而不是在电源电压开始下降时立即关断; 会使电容反向给电源充电,导致输出电压大幅下降)

  电路中加入稳压二极管的原因是MOS管的GS之间的电压一般不能超过20V,若电源系统是24V或36V更高的,会使MOS管损坏

  当输入短路期间,肖特基二极管会快速反向偏置,并阻止反向电流回流到短路的输入端;输出的保持电容为负载提供备用电源,使得输出电压下降;消除输入短路后,负载通过肖特基二极管供电;

  而PMOS管,当栅源电压超过Vth时,PMOS管将关断,由于缺乏反向电流阻断功能,输出电压会大幅下降;

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  提供电压。还有许多其他方法,为电子设备供电,如适配器,太阳能电池等,但最

  保护。如下图1所示图1、一只串联二极管保护系统不受反向极性影响,二极管有0.7V的压

  供电为例,配置的电压为5伏特,电流为2安培。在常规情况下,二极管它是串联在

  损坏。但是因为于二极管上存在很大的电压降,这将会导致能量的损失增加很多。

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  损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管能减小损耗,但是仍对

  最大的优势是几乎零压降,二极管的压降一般都0.5V~1V左右,但是MOS管就不一样了,MOS管的内阻很小,小的只有几mΩ。 假如5mΩ的内阻,经过1A的电流压降只有5mV,10A电流压降也才50mV。

  欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏。由于MOS管越来越便宜,所以人们逐渐开始使**用MOS管防

  每个产品设计时都会有一个供电接口,对这些需要直流供电的设备,我们在设计时一定需要考虑到其

  到板子的时候,如果一个疏忽接反了,非常有可能烧毁芯片或器件,所以要设计

  损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管能减小损耗,但是仍对

  损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管能减小损耗,但是仍对

  包含机械换向和电子换向两个部分,能够较好地解决大功率设备移动供电问题,适用于电气化公路供电和移动电器设备供电。

  ,这个可谓英雄所见略同,但是大部分文章的说明部分都一样,那么这就……(不符合我的风格,不浮夸,不将就。即便是总结 ,原理可以一样,但是说明照

  的视频给大家。注意,视频的重点不是看芯片怎么着火了,而是教给大家四种简单实用的

  提供电压。还有许多其他方法,为电子设备供电,如适配器,太阳能电池等,但最

  小结原创霁风AI 最后发布于2018-05-08 00:01:24 阅读数 15349 已收藏展开前言:1.概述

  端直接串入二极管。常用1N4007,使用时需注意正向额定电流1A。保险管

  功能,这种方法简单,安全可靠,成本也最低,但是输出端会有0.7V左右的压降,还有就是如果

  保护。如下图1示:这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如

  插头怼到耳机插孔的用户。好的设计一定是傻瓜式的,充分避免用户犯错。其中,

  场景下都会采取到此系列得设计。前几日,小白在做单板验证时,在接上假电池然后

  有一同事(实习生),没什么项目经验。然后加工回来的线材直接就拿来调试用了,结果加工线材

  的,一通电后直接炸电容。炸完后还一脸懵逼的在哪里看。(请忽略下图)下面

  只有2.6左右了, 可怕! 还有消耗电能和发热问题. 因此MOS管的 0压降 + 大电流 , 就越来越普遍被用在

  中的相关器件损坏。这样不仅浪费设计成本,而且还会是开发周期延长。所以在

  串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护

  电子产品设备在使用的过程中最容易且最致命的一个错误操作就是:正负极接反,运气好没啥大事,通常轻则烧毁

  ,方法多种,现在推荐用一颗肖特基整流二极管,最简单有效肖特基整流二极管特性:单向导电性、功耗低

  时必须考虑工作电流,如果工作电流比较大,二极管选型时需确认的耐流值,并做好散热工作。

  正、负极,可能会发生意外事故或者烧坏电子科技类产品。为避免这些意外发生,提升产品的可靠性,我们大家可以设计一个

  ,但是二极管会产生正向压降,不适合低电压供电的情况,如3.3V。而场效应管因为内阻低,所以导通压降可忽略不计。下面以MOSFET为例来介绍场效应管的

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