在这个时候,最好还是不要让电路变得复杂,因此组件数量是越少越好。有两个原因,第一,成本较低,第二组件越少,出故障率越低,可靠性也就越高。
上面这个电路配置是逆变器,如果你想要非反相信号,就使用下面这个电路结构。
如果要使晶体管饱和,第一个电路通常是反相电路,如果将电路偏置为在线性区域工作,则 Uout 节点处的电压可能高于 0 。第二个电路是同相配置,与BJT的共集电极配置相当,但由于存在基极电流,BJT 共集电极比该电路更为复杂。
光耦合器电路设计的下一步是选择光耦合器部件,在这样的一个过程中,你一定要考虑你的需求。
如果你的设备是线性的,你可优先考虑使用点击率范围较小的应用程序,严格的点击率将对应较小的变化。
如果电路要暴露再高温环境下,最优选择 CT受环境和温度影响不太大的光耦,光耦合器CTR会随着温度上升而降低。
如果电路使用的周期较长,最好还应该要考虑一下预期生命曲线。如下所示,随着设备老化,点击率会下降。
饱和时,Uout 节点理想为零,但线性高于零但低于 Ucc。当二极管侧没有偏置时,Uout 的电平与 Ucc 相同。
你可以自由选择该值。但是,在某些应用中必须要格外注意。大多数时候,Udd 源自数字电路或设备,例如 MCU 或 DSP。如果是这样,不能超过数字电路或设备的电流额定值的方式设置 Rf 值。对于 MCU 和 DSP,灌电流和源电流通常在 4mA 到 9mA 之间(其他一些可能会达到高于 9mA,在 Datasheet 中查看)。
假设额定电流最大仅为 4mA,则将实际正向电流最多设置为其 80%。所以 Rf :
输出应提供逻辑低电平和逻辑高电平。逻辑低电平是低于 0.8V 的任何电压,而逻辑高电平等于 Ucc。
电源 Ucc 为 5V,由具有 4mA 拉电流和灌电流能力的 MCU 提供。光耦 CTR 为80%,二极管压降为0.7V。
为了获得低信号,晶体管侧必须饱和。要知道晶体管是不是真的会饱和,个人会使用以下公式:
器件 CTR 为 80%,因此晶体管可能会饱和。为了能够更好的保证硬饱和,可以给集电极电阻增加更多的余量,比如说在计算值上加上 50%。
电路能提供高逻辑吗?可以,因为一旦移除 Udd,晶体管就会截止,Uout 节点将看到 Ucc 电平
Ic = CTR x If = 80% x 2.87 mA =2.296 mA
结果U out 并不完全等于 3V,因为个人会使用 1.3k 作为 Rc 值,而不是计算出的 1.31k。