证券之星音讯,依据天眼查APP多个方面数据显现宏微科技(688711)新取得一项发明专利授权,专利名为“一种二极管及其制造的进程”,专利申请号为CN5.5,授权日为2025年2月25日。
专利摘要:本发明触及半导体技术领域,详细触及一种二极管及其制造的进程,所述二极管包含N基体、有源区P+层和多个mos结构,N基体上构成有有源区P+层,有源区P+层内设有多个mos结构,有源区P+层上设有阳极金属,mos结构包含沟槽,沟槽内构成有栅氧化层和多晶硅,沟槽外设有与阳极金属电衔接的N+层,沟槽上设有绝缘介质层以离隔多晶硅和阳极金属,当二极管施加反向电压增大时,多晶硅施加敞开电压,沟槽外构成导电沟道,导电沟道与二极管内的空间电荷区衔接,二极管内构成反向电流。本发明供给的一种二极管,可以在必定反向电压范围内具有特定反向电流才能,而且该二极管的雪崩耐量才能远超于一般二极管。
今年以来宏微科技新取得专利授权1个,与去年同期相等。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研制方面投入了5390.84万元,同比增6.78%。
为证券之星据揭露信息收拾,由智能算法生成(网信算备240019号),不构成出资主张。
证券之星音讯,依据天眼查APP多个方面数据显现宏微科技(688711)新取得一项发明专利授权,专利名为“一种二极管及其制造的进程”,专利申请号为CN5.5,授权日为2025年2月25日。
专利摘要:本发明触及半导体技术领域,详细触及一种二极管及其制造的进程,所述二极管包含N基体、有源区P+层和多个mos结构,N基体上构成有有源区P+层,有源区P+层内设有多个mos结构,有源区P+层上设有阳极金属,mos结构包含沟槽,沟槽内构成有栅氧化层和多晶硅,沟槽外设有与阳极金属电衔接的N+层,沟槽上设有绝缘介质层以离隔多晶硅和阳极金属,当二极管施加反向电压增大时,多晶硅施加敞开电压,沟槽外构成导电沟道,导电沟道与二极管内的空间电荷区衔接,二极管内构成反向电流。本发明供给的一种二极管,可以在必定反向电压范围内具有特定反向电流才能,而且该二极管的雪崩耐量才能远超于一般二极管。
今年以来宏微科技新取得专利授权1个,与去年同期相等。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研制方面投入了5390.84万元,同比增6.78%。
为证券之星据揭露信息收拾,由智能算法生成(网信算备240019号),不构成出资主张。