宏微科技取得发明专利授权：“一种二极管及其制造的进程”

  证券之星音讯，依据天眼查APP多个方面数据显现宏微科技(688711)新取得一项发明专利授权，专利名为“一种二极管及其制造的进程”，专利申请号为CN5.5，授权日为2025年2月25日。

  专利摘要：本发明触及半导体技术领域，详细触及一种二极管及其制造的进程，所述二极管包含N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上构成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包含沟槽，沟槽内构成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电衔接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以离隔多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加敞开电压，沟槽外构成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区衔接，二极管内构成反向电流。本发明供给的一种二极管，可以在必定反向电压范围内具有特定反向电流才能，而且该二极管的雪崩耐量才能远超于一般二极管。

  今年以来宏微科技新取得专利授权1个，与去年同期相等。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研制方面投入了5390.84万元，同比增6.78%。

  为证券之星据揭露信息收拾，由智能算法生成(网信算备240019号)，不构成出资主张。

  证券之星音讯，依据天眼查APP多个方面数据显现宏微科技(688711)新取得一项发明专利授权，专利名为“一种二极管及其制造的进程”，专利申请号为CN5.5，授权日为2025年2月25日。

  专利摘要：本发明触及半导体技术领域，详细触及一种二极管及其制造的进程，所述二极管包含N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上构成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包含沟槽，沟槽内构成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电衔接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以离隔多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加敞开电压，沟槽外构成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区衔接，二极管内构成反向电流。本发明供给的一种二极管，可以在必定反向电压范围内具有特定反向电流才能，而且该二极管的雪崩耐量才能远超于一般二极管。

  今年以来宏微科技新取得专利授权1个，与去年同期相等。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研制方面投入了5390.84万元，同比增6.78%。

  为证券之星据揭露信息收拾，由智能算法生成(网信算备240019号)，不构成出资主张。