金融界 2024 年 12 月 2 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,扬州扬杰电子科技股份有限公司请求一项名为“一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备办法”的专利,公开号 CN 119050148 A,请求日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显现,一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFE 及制备办法,触及半导体技术领域。本发明在沟槽栅 SiC MOSFET 器材内部集成 SBD 二极管和 PN 结二极管,构成混合型体二极管,完成了对器材长时间安稳运用的改进。在 Is 续流过程中,SBD 体二极管作为续流管先行敞开,避免了空穴进入到 SiC Drift 层中产生双极退化效应;在器材经 Issm 大浪涌电流时,PN 结体二极管敞开,来提升了器材接受大浪涌电流冲击才能。
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