扬杰电子请求内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备办法专利改进器材长时间安稳运用

  金融界 2024 年 12 月 2 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，扬州扬杰电子科技股份有限公司请求一项名为“一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备办法”的专利，公开号 CN 119050148 A，请求日期为 2024 年 8 月。

  专利摘要显现，一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFE 及制备办法，触及半导体技术领域。本发明在沟槽栅 SiC MOSFET 器材内部集成 SBD 二极管和 PN 结二极管，构成混合型体二极管，完成了对器材长时间安稳运用的改进。在 Is 续流过程中，SBD 体二极管作为续流管先行敞开，避免了空穴进入到 SiC Drift 层中产生双极退化效应；在器材经 Issm 大浪涌电流时，PN 结体二极管敞开，来提升了器材接受大浪涌电流冲击才能。

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