电子拉力试验机
2.依据权利要求1所述的LED模块,其中,所述多个第一电极以阵列布置在所述衬底的
其中,所述第二电极设置在所述第一区域和第二区域中,所述第二区域在所述衬底的
3.依据权利要求2所述的LED模块,其中,所述第二电极包括在所述第二区域中从所述
其中,所述突出部分的高度高于所述多个第一电极的高度并低于或等于所述LED的高
4.根据权利要求3所述的LED模块,其中,所述第二电极的所述突出部分是通过研磨所
5.根据权利要求1所述的LED模块,其中,所述多个第一电极以二维阵列布置在所述衬
6.根据权利要求1所述的LED模块,其中,所述衬底包括信号布线层,所述信号布线层包
7.根据权利要求1所述的LED模块,其中,所述衬底具有矩形形式,所述矩形形式具有围
其中,所述衬底包括设置在所述衬底的所述四个侧面中的至少一个侧面上的侧面布
其中,所述第二电极设置在所述多个第一电极与所述侧面布线所述的LED模块,其中,所述第二电极的电容大于所述多个第一电极
第二电极,设置在所述衬底的所述顶表面上并在所述多个第一电极的阵列之间;以及
其中,所述第二电极包括在所述阵列外部的区域中从所述衬底的所述顶表面延伸的突
其中,所述突出部分的高度高于所述多个第一电极的高度并低于或等于所述LED的高
10.根据权利要求9所述的LED模块,其中,所述第二电极的所述突出部分是通过研磨布
11.根据权利要求9所述的LED模块,其中,所述衬底包括信号布线层,所述信号布线层
12.根据权利要求9所述的LED模块,其中,所述衬底设置为矩形形式,所述矩形形式具
其中,所述衬底包括布置在所述衬底的所述四个侧面中的至少一个侧面上的侧面布
其中,所述第二电极设置在所述多个第一电极与所述侧面布线所述的LED模块,其中,所述第二电极的电容大于所述多个第一电极
第二电极,以网格形式设置在所述衬底的所述顶表面上并在所述多个第一电极之间;
15.根据权利要求14所述的LED模块,其中,所述多个第一电极以阵列布置在所述衬底
其中,所述第二电极设置在所述第一区域和第二区域中,所述第二区域在所述衬底的
本公开涉及一种配备有发光二极管(LED)器件的LED模块以及制造LED模块的方
显示装置能包括诸如液晶显示器(LCD)的光接收显示面板和产生与数据信号相
极管(LED)的研究。LED利用化合物半导体的特性,将电信号转换成诸如红外线、可见光等的
光的形式,不仅用于家用电器、遥控器、广告牌或各种自动化设备,还用于更广泛的领域,如
小型手持电子设备或大型显示设备。随着慢慢的变多地研究使LED小型化的微型LED显示器,
提供了一种发光二极管(LED)模块以及制造LED模块的方法,通过在LED模块的布
根据本公开的一方面,一种发光二极管(LED)模块包括:衬底;多个第一电极,布置
在衬底的顶表面上;第二电极,设置在衬底的顶表面上并且在多个第一电极之间;以及LED,
以设置在第一区域和第二区域中,该第二区域在衬底的顶表面上且在第一区域外部。
衬底可以包括设置在衬底的四个侧面中的至少一个侧面上的侧面布线,以电连接布置在衬
底的顶表面和底表面上的电极,并且第二电极可设为在多个第一电极与侧面布线]
根据本公开的一方面,一种发光二极管(LED)模块包括:衬底;多个第一电极,以阵
列布置在衬底的顶表面上;第二电极,设置在衬底的顶表面上并在多个第一电极的阵列之
间;以及LED,电连接到多个第一电极,其中第二电极包括在阵列外部的区域中从衬底的顶
表面延伸的突出部分,并且其中,突出部分的高度高于多个第一电极的高度并低于或等于
面,衬底可以包括布置在衬底的四个侧面中的至少一个侧面上的侧面布线,以电连接布置
在衬底的顶表面和底表面上的电极,并且第二电极设置在多个第一电极与侧面布线]
根据本公开的一方面,一种发光二极管(LED)模块包括:衬底;多个第一电极,二维
布置在衬底的顶表面上;第二电极,以网格形式设置在衬底的顶表面上并在多个第一电极
图2a是根据实施例的发光二极管(LED)模块的透视图,并且图2b是根据实施例的
在说明书中,类似的标记指代类似的元件。不会描述本公开的实施例的所有元件,
并且将省略在本领域中公知的或在实施例中彼此重叠的描述。术语“单元、模块、构件或块”
可以指在软件或硬件中实现的,并且多个单元、模块、构件或块可以集成在一个组件中,或
还将理解,术语“连接”或其派生词既指直接连接又指间接连接,并且间接连接包
除非另有说明,否则术语“包括(或包括有)”或“包含(或包含有)”是包括性的或开
在说明书中,当描述一个构件位于另一构件“上”时,这不仅意味着该构件与另一
将理解,虽然在本文中能够正常的使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、
组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这
些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分加以
将理解,单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指代,除非上下文另外清楚地说
用于方法步骤的附图标记仅是为便于解释,而不限制步骤的顺序。因此,除非上
图1示出了根据本公开的实施例的包括发光二极管(LED)模块的显示装置的外观。
在图1中,示出了相互垂直的X轴、Y轴和Z轴,其中X轴表示从左到右的方向,Y轴表
显示装置1可以是用于显示字符、图形、图案、图像等形式的信息、资料、数据等的
设备,并能实现为广告板、电子标牌、屏幕、电视、监视器等。显示装置能安装在墙壁
显示装置1可以包括用于显示画面的LED模块110、以及耦接到LED模块110的后侧
图2a是根据实施例的LED模块110的透视图,并且图2b是根据实施例的另一LED模
参照图2a和图2b,设置了其上布置有上信号电极250S和上电源电极240S的衬底
1B。衬底IB可以指包括玻璃和信号布线层的衬底结构,这将在后面描述。这里使用的术语
“上信号电极”250S可以对应于多个第一电极,并且术语“上电源电极”240S可以对应于第二
术语“第一电极”250S和“第二电极”240S是为了区分电极而不是限制电极的功能。
多个第一电极250S可以布置在衬底的顶表面上的区域中。另一方面,第二电极可以布置在
第二电极240S可以散布在衬底上并形成层结构。不同于第一电极,第二电极240S
括多个开口h2a的网格结构的层的形式。网格结构可以指包括多个开口的网格形式。第一电
图2b是图2a的L1和L2的截面图。每个上信号电极250S和上电源电极240S可以连接
上电源电极240S和上信号电极250S可设为为在工艺期间(即,当没有向其提供
电源时)电断开。上信号电极250S可以包括连接到LED的多个子信号电极。包括在上信号电
此外,上电源电极240S可以布置在衬底IB的最外边缘的至少一部分中。在图2a中,
上电源电极240S被示为布置在沿LED模块的长轴的最外边缘上。LED模块110能形成多个
上电源电极240S可以布置在阵列“AA”外部的区域“NAA”的一部分中。阵列“AA”可
以指上信号电极按行和列布置的区域。此外,外部区域“NAA”可以指与阵列“AA”不同的区
参照图2b,LED模块可经过倒角工艺以防止玻璃破碎。倒角工艺可以指通过研磨
衬底的拐角来形成圆角的工艺。倒角工艺的操作没有限制,只要该操作能形成衬底的圆
具体地,上电源电极240S的突出部分(突起)能够最终靠一起研磨布置在衬底边缘上
的上电源电极240S以及衬底拐角来形成。拐角和上电源电极240S基本一起接地,例如衬底
和上电源电极240S可以同时或有时间差地接地。此外,对研磨顺序没有限制。例如,可以在
研磨了衬底之后研磨上电源电极240S,或者相反,可以在研磨了上电源电极240S之后研磨
当在倒角工艺期间上电源电极240S在LED模块的最外区域上时,由于材料之间的
所形成的突出部分(突起)可具有有效吸引到电源电极的静电放电(ESD)的结
以上结合图2a及图2b所描述的LED模块的结构仅为本公开的一个实施例,只要电
图3至图5是用于描述根据实施例的制造LED模块的过程的图。如图3所示,可以堆
玻璃和信号布线层能形成衬底IB。下电源电极240可以电连接到上电源电极
240S。上电源电极240S可以布置在信号布线层SL的最外区域中。上电源电极240S也可以布
置在上信号电极250S之间。上电源电极240S可以布置在LED模块110的外部区域“NAA”中以
此外,上电源电极240S可以连接到下电源电极240。下电源电极240可以连接到接
地电极以感应通过上电源电极240S引入的ESD,而不影响信号布线层SL中的其他信号电极。
此外,上电源电极240S可以在倒角工艺中形成突出部分(突起)。由上电源电极
240S形成的突出部分(突起)的高度可以超过其他上信号电极的高度。这将在下文中详细地
参照图4,可以在LED模块上安装LED 380。当包括LED时,可以堆叠第二绝缘层118。
当堆叠第二绝缘层118时,布置在LED模块110的最外区域中的上电源电极240S形成为突出
也就是说,第二绝缘层可以堆叠在本公开中形成的阵列区域“AA”中。换句话说,第
二绝缘层可以不堆叠在与上电源电极240S相对应的外部区域“NAA”中,而可以堆叠在阵
即使在后续工艺中,ESD也可以被感应到上电源电极240S并能通过地面导出。
玻璃111可以包括其中布置LED 380以发光的发光区域、以及其中布置诸如薄膜晶体管
(TFT)200的电路元件并且不发光的非发光区域。在玻璃111的非发光区域中,可以布置光吸
其能够最终靠在蓝宝石衬底或硅衬底上的多层薄膜中生长诸如AL、Ga、N、P、AS、In等无机材
此外,LED 380可以电连接到上信号电极250S和上电源电极240S中的一些。光吸收
层可以包括对光的吸收良好的黑色无机材料、黑色有机材料、黑色金属等。例如,吸光材料
可以由诸如炭黑、多烯颜料、偶氮颜料、甲亚胺颜料、二铵颜料、酞菁颜料、醌颜料、靛蓝颜
料、硫靛颜料、二恶啶颜料、喹吖啶酮颜料、异吲哚啉酮颜料、金属氧化物、金属复合物、芳烃
如图4所示,可以在玻璃111上设置缓冲层113。缓冲层113可以在玻璃111的顶部提
供平坦的表面,并且阻挡外来物质或湿气渗透通过玻璃111。例如,缓冲层113可以包含诸如
氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料,或者诸如聚酰亚
参照图4,实施例中的LED模块110可以包括信号布线层。信号布线层SL是TFT衬底,
当TFT被导通时,通过布线从外部输入的驱动信号被施加到LED器件110,使得LED
器件110可以发光以形成图像。连接栅电极220t、下信号电极250和下电源电极240以及LED
源层、栅电极、源电极和漏电极。半导体有源层可以包含半导体材料,并能具有源区、漏
区以及位于源区与漏区之间的沟道区。栅电极可设为在有源层上以对应于沟道区。源电
在制造LED模块的工艺中,TFT 200截止,从而电阻挡信号电极和电源电极,这将在
后面描述。因此,上信号电极和连接到信号电极和电源电极的上电源电极240S也可以被电
可以在有源层与栅电极之间布置栅绝缘层114。栅绝缘层114可设为有无机绝缘
材料。可以在栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间布置层间绝缘层115。层间绝缘
层115可以由有机在允许电压下不导电的材料或无机在允许电压下不导电的材料来形成,或者能够最终靠交替有机在允许电压下不导电的材料和无
机在允许电压下不导电的材料来形成。第一绝缘层117作为平坦化膜布置在源电极和漏电极上。第一绝缘层
117可以由有机在允许电压下不导电的材料或无机绝缘材料来形成,或者能够最终靠交替有机在允许电压下不导电的材料和无机
虽然在本公开的实施例中,TFT 200以顶栅型实现,其中栅电极布置在半导体有源
如图4所示,LED 380可以布置在第一绝缘层117上。在本公开的实施例中,LED 380
可以是微型LED。术语“微型”表示1至100μm的尺寸,但本公开不限于此,而可以同样适用
单个微型LED或多个微型LED可以从晶片上被拾取,并通过馈给机构转移到玻璃
111上。由于微型LED由无机材料制造成,与使用有机材料的有机发光二极管(OLED)相比,微型
LED具有快速响应速度、低功率和高亮度。此外,因为有机LED容易暴露在水分和氧气中,耐
久性差,因此有机LED需要封装工艺,而微型LED则不需要封装工艺,并具备优秀能力的耐久性。
LED 380可以发射属于从紫外光到可见光的波长范围的特定波长的光。例如,LED
380可以是红色、绿色、蓝色、白色或UV LED。具体地,可以在相邻的子像素区域SP中布置红
色LED、绿色LED和蓝色LED,并且这三个相邻的子像素区域SP可设为在一个像素区域P中。
LED 380可以包括p‑n二极管、阳极和阴极。阳极和/或阴极可以由各种导电材料形
成,包括金属、导电氧化物和导电聚合物。阳极可以电连接到下信号电极250,并且阴极可以
电连接到公共接地电极。p‑n二极管可以包括阳极侧的p掺杂部分、一个或多个量子阱部分
以及阴极侧的n掺杂部分。备选地,阴极侧的掺杂部分可以是p掺杂部分,并且阳极侧的掺杂
阳极和阴极可以位于LED的顶表面上。备选地,LED 380的发光面可以位于LED 380
的底表面上。因此,LED 380的发光面可以与第一绝缘层117接触,并且LED 380可以向玻璃
栅电极220t、下信号电极250和下电源电极240可设为在第一绝缘层117中。连接
栅电极、下信号电极250和LED的信号布线层SL可设为在第一绝缘层117和第二绝缘层118
中。也就是说,根据本公开的实施例,LED 380可以是底部发射型。由于LED 380为底部发射
型,所以诸如TFT 200和LED 380的像素电路器件被布置为在竖直方向上彼此不重叠。LED
如图4所示,第二绝缘层118可设为在第一绝缘层117上以包围LED 380。第二绝
缘层118可以包括有机在允许电压下不导电的材料。例如,第二绝缘层118可以由丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯
(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂、聚酯等形成,但不限于此。
栅电极220t、上电源电极240S和上信号电极250S可以将用于驱动LED模块110的各
种驱动集成电路(IC)连接到像素电路。例如,上电源电极240S和上信号电极250S可以分别
下电源电极240连接到上电源电极240S和接地电极,所以能消除引入上电源电极240S中
的阳极以将数据信号施加到LED 380的信号电极、以及将LED 380的阴极连接到参考电压V
以为LED 380提供接地的共地电极。由于LED 380为底部发射型,所以上述第一绝缘层117、
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