中晶新源申请RC-IGBT专利技术突破降低VF提升性能

  2025年4月11日，金融界报道，国家知识产权局发布的信息数据显示，中晶新源（上海）半导体有限公司近日申请了一项名为“一种RC-IGBT及其形成方法”的专利，公开号为CN119789448A，申请日期为2024年12月。这一专利的申请对半导体行业而言具备极其重大意义，尤其是在提升器件性能和减少相关成本方面，都可能带来积极的影响。

  专利摘要中指出，中晶新源这款RC-IGBT器件的设计创新，大多数表现在IGBT区域和二极管区域的优化配置。具体而言，二极管区域与IGBT区域紧密相邻，使得这款器件的整体结构更紧凑，布局合理。更为突出的是，该器件采用了深槽设计，侧壁配有薄栅氧化层，这一变化不仅形成了SBR二极管，还大大降低了VF（前向电压），提升了RC-IGBT的反向恢复性能，算得上是一次突破性的创新。

  为何这一技术创新如此重要呢？简单来说，VF的降低意味着电能损耗的减少， RC-IGBT的反向恢复性能提升则提高了设备的可靠性与常规使用的寿命，这在电动汽车、可再次生产的能源等领域的应用潜力都巨大。与此同时，二极管区域的面积得以合理压缩，进而节省了芯片的总体面积，这对于提升整体产品的性价比有着关键作用。对于依赖于高性能半导体的行业而言，这无疑是一个好消息。

  根据天眼查的资料，中晶新源（上海）半导体有限公司成立于2017年，位于经济发达的上海市。该公司注册资本为5000万人民币，目前实缴资本为4130万人民币。作为一家专注于半导体产品的企业，中晶新源不仅在研发方面持续发力，已申请专利25项，还有多项商标信息及行政许可。企业的这些发展动向反映出其在行业内的慢慢的提升，也显示出其在未来市场之间的竞争中的准备和实力。

  中晶新源的这项RC-IGBT专利，不仅从技术角度展现了公司在半导体领域的研发能力，同时也为整个行业的技术进步提供了助力。在当前全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，这样的创新能够明显提升我国在高科技领域的话语权，进而推动产业升级。

  总的来说，中晶新源的RC-IGBT专利申请预示着半导体行业不断向前发展的趋势。在未来的发展中，如何将这项技术真正应用到生产和市场中，将体现出企业的创新能力和市场竞争力。我们期待，中晶新源在未来的日子里能不断带来更多的技术创新，并为整个行业的发展贡献力量。返回搜狐，查看更加多