的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机接受电流大的特色，现在渐渐的变成了电力电子职业的功率半导体开展的干流器材。模块也在此基础上同步开展，单管模块，半桥模块，6管模块，到现在的7管模块。IGBT驱动规划上很杂乱，需求细心考虑较多的要素，比如合理的挑选驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg，过流过压维护等都是很重要的。IGBT模块大规模的使用在UPS，感应加热，逆变焊机电源，变频器等范畴。
关于Vincotech公司的7管封装的IGBT模块主要是用于电机驱动的变速调理和新能源逆变上，他由6管再加一个带制动的IGBT单管封装在一起构成一个7管的封装。
Vge要大于Vge(th),意思是栅极的驱动电压要大于IGBT的门极阈值电压IGBT才干开动，对这个7管模块的Vge典型值是5.8V，为了是IGBT充沛彻底饱满导通，并使开关损耗降到最低，因而就需求再Vge选一个适宜的值，当Vge添加通态电阻减小，通态压降也在下降，损耗也在下降，可是IGBT接受的短路电流才能却在减小，当Vge太大，会引起栅极电压振动，简单损坏栅极，当Vge减小，通态电阻增大，通态压降增大，损耗也在增大，为了平衡这些约束联系，一般选在1.5~3倍的Vge(th)，折中选在12~15V的规模，在IGBT关断时，一般是选用负向偏压，进步抗干扰才能和抗击di/dt冲击才能，一般负压在-10~-6V。
当然Rg增大时，能按捺门极脉冲沿的峻峭度有用的避免振动，一起能减少开关di/dt，约束了IGBT集电极的尖峰电压，可是会添加开关时间，添加开关损耗。Rg小了，会导致GE之间的振动，损坏IGBT，一般在Rg上并联一个10K左右的电阻到E极，另外在GE之间加上TVS吸收尖峰。
3.因内部带有制动的IGBT单管制动，当对电机的减速时，封闭驱动，一起只需将此管翻开，将因电机滚动感应发生的能量吸收泻放，因而使用场合主要在电机调速操控，下图是整个电机操控的框图。
7管封装选用IGBT4技能，高集成度较少的PCB走线，内建一个NTC的，实时反响模块内部的温度，在变频器电机调速上使用是十分适宜的。
