的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机接受电流大的特色,现在渐渐的变成了电力电子职业的功率半导体开展的干流器材。模块也在此基础上同步开展,单管模块,半桥模块,6管模块,到现在的7管模块。IGBT驱动规划上很杂乱,需求细心考虑较多的要素,比如合理的挑选驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg,过流过压维护等都是很重要的。IGBT模块大规模的使用在UPS,感应加热,逆变焊机电源,变频器等范畴。
关于Vincotech公司的7管封装的IGBT模块主要是用于电机驱动的变速调理和新能源逆变上,他由6管再加一个带制动的IGBT单管封装在一起构成一个7管的封装。
Vge要大于Vge(th),意思是栅极的驱动电压要大于IGBT的门极阈值电压IGBT才干开动,对这个7管模块的Vge典型值是5.8V,为了是IGBT充沛彻底饱满导通,并使开关损耗降到最低,因而就需求再Vge选一个适宜的值,当Vge添加通态电阻减小,通态压降也在下降,损耗也在下降,可是IGBT接受的短路电流才能却在减小,当Vge太大,会引起栅极电压振动,简单损坏栅极,当Vge减小,通态电阻增大,通态压降增大,损耗也在增大,为了平衡这些约束联系,一般选在1.5~3倍的Vge(th),折中选在12~15V的规模,在IGBT关断时,一般是选用负向偏压,进步抗干扰才能和抗击di/dt冲击才能,一般负压在-10~-6V。
当然Rg增大时,能按捺门极脉冲沿的峻峭度有用的避免振动,一起能减少开关di/dt,约束了IGBT集电极的尖峰电压,可是会添加开关时间,添加开关损耗。Rg小了,会导致GE之间的振动,损坏IGBT,一般在Rg上并联一个10K左右的电阻到E极,另外在GE之间加上TVS吸收尖峰。
3.因内部带有制动的IGBT单管制动,当对电机的减速时,封闭驱动,一起只需将此管翻开,将因电机滚动感应发生的能量吸收泻放,因而使用场合主要在电机调速操控,下图是整个电机操控的框图。
7管封装选用IGBT4技能,高集成度较少的PCB走线,内建一个NTC的,实时反响模块内部的温度,在变频器电机调速上使用是十分适宜的。